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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BW032DT60ZA3T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（1兆X32號(hào)，引導(dǎo)塊，突發(fā)）3.3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/60頁(yè) |
| 文件大小： | 906K |
| 代理商： | M58BW032DT60ZA3T |
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M58BW032BT, M58BW032BB, M58BW032DT, M58BW032DB
42/60
Figure 17. Reset, Power-Down and Power-up AC Waveform
Table 21. Reset, Power-Down and Power-up AC Characteristics
Note: 1. This time is t
PHEL
+ t
AVQV
or t
PHEL
+ t
ELQV
.
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
t
PHEL
Reset/Power-down High to Chip Enable Low
50
ns
t
PHQV
(1)
Reset/Power-down High to Output Valid
130
ns
t
PHWL
Reset/Power-down High to Write Enable Low
50
ns
t
PHGL
Reset/Power-down High to Output Enable Low
50
ns
t
PLPH
Reset/Power-down Low to Reset/Power-down High
100
ns
t
PLRH
Reset/Power-down Low to Valid Data Ready High
2
30
μs
t
VDHPH
Supply Voltages High to Reset/Power-down High
10
μs
AI03849b
W,
RP
tPHWL
tPHEL
tPHGL
E, G
VDD, VDDQ
tVDHPH
tPHWL
tPHEL
tPHGL
tPLPH
tPLRH
Power-Up
Reset
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064C12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW032DT60ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| M58BW16F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4D150 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M58BW16FB4T3 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4T3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 45NS 80PQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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