- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359080 > M58BW032DT60ZA3T (意法半導體) 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58BW032DT60ZA3T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（1兆X32號，引導塊，突發(fā)）3.3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 33/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | M58BW032DT60ZA3T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
33/60
M58BW032BT, M58BW032BB, M58BW032DT, M58BW032DB
Figure 8. Asynchronous Bus Read AC Waveforms
Table 16. Asynchronous Bus Read AC Characteristics.
Note: 1. Output Enable G may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of Chip Enable E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW032
Unit
45
55
60
t
AVAV
Address Valid to Address Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Min
45
55
60
ns
t
AVQV
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Max
45
55
60
ns
t
AXQX
Address Transition to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
Min
0
ns
t
EHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
Min
0
ns
t
EHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = V
IL
Min
0
ns
t
EHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
ns
t
ELQV(1)
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
45
55
60
ns
t
ELQX
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
ns
t
GHQX
Output Enable High to Output Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
15
ns
t
GLQX
Output Enable to Output Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
LLEL
Latch Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
AI08921
E
G
L
A0-A19
DQ0-DQ31
VALID
tLLEL
tAXQX
tELQX
tELQV
tAVQV
tGLQX
tGLQV
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
tGHQZ
See also Page Read
OUTPUT
tEHLX
tAVAV
GD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064C12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW032DT60ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| M58BW16F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4D150 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M58BW16FB4T3 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4T3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 45NS 80PQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。