- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359080 > M58BW032DT60ZA3T (意法半導(dǎo)體) 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BW032DT60ZA3T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（1兆X32號(hào)，引導(dǎo)塊，突發(fā)）3.3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 19/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | M58BW032DT60ZA3T |
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M58BW032BT, M58BW032BB, M58BW032DT, M58BW032DB
Table 6. Burst Configuration Register
Note: 1. X latencies can be calculated as: (t
AVQV
– t
LLKH
+ t
KHQV
) + t
SYSTEM MARGIN
< (X -1) t
K.
(X
is an integer number from 4 to 8 and t
K
is the clock period),
,
where t
LLKH
is the value given by the master microcontroller timing specifications.
2. Y latencies can be calculated as: t
KHQV
+ t
SYSTEM MARGIN
+ t
KHQV
< Y t
K
.
3. t
SYSTEM MARGIN
is the time margin required for the calculation.
Bit
Description
Value
Description
M15
Read Select
0
Synchronous Burst Read
1
Asynchronous Read (Default at power-up)
M14
Standby Disable
0
Standby Mode Enabled (Default at power-up)
1
Standby Mode Disabled
M13-M11
X-Latency
(1)
001
3
010
4
011
5
100
6
101
7
110
8
M10
Reserved
M9
Y-Latency
(2)
0
One Burst Clock cycle
1
Two Burst Clock cycles
M8
Valid Data Ready
0
R valid Low during valid Burst Clock edge
1
R valid Low one data cycle before valid Burst Clock edge
M7-M4
Reserved
M3
Wrapping
0
Wrap
1
No Wrap
M2-M0
Burst Length
001
4 Double-Words
010
8 Double-Words
111
Continuous
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58CR064C12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D85ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW032DT60ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| M58BW16F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4D150 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M58BW16FB4T3 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories |
| M58BW16FB4T3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 45NS 80PQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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