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參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016DB100ZA3T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/63頁 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100ZA3T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
44/63
Figure 20. PQFP80 - 80 lead Plastic Quad Flat Pack, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 23. PQFP80 - 80 lead Plastic Quad Flat Pack, Package Mechanical Data
millimeters
Symbol
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
3.400
0.1339
A1
0.250
0.0098
A2
2.800
2.550
3.050
0.1102
0.1004
0.1201
b
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0.450
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c
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D
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D1
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D2
18.400
–
–
0.7244
–
–
e
0.800
–
–
0.0315
–
–
E
17.200
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17.450
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0.6673
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E1
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–
–
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–
–
L
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L1
1.600
–
–
0.0630
–
–
α
N
0°
7°
0°
7°
80
80
Nd
24
24
Ne
16
16
QFP-B
D1
CP
b
e
A2
A
N
L
A1
α
E1
E2
1
D
c
E
D2
L1
Nd
Ne
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB100T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW032DT60ZA3T | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| M58CR064C12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016DB100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB70T3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70T3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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