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參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016DB100ZA3T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/63頁 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100ZA3T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
Table 10. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Note: T
A
= –40 to 125°C, V
DD
= 2.7V to 3.6V, V
DDQ
= 2.4V to V
DD
Parameters
M58BW016B/D
Unit
Min
Typ
Max
V
PP
= V
DD
V
PP
= 12V
V
PP
= V
DD
V
PP
= 12V
Parameter Block (64Kb) Program
0.030
0.016
0.060
0.032
s
Main Block (512Kb) Program
0.23
0.13
0.46
0.26
s
Parameter Block Erase
0.8
0.64
1.8
1.5
s
Main Block Erase
1.5
0.9
3
1.8
s
Program Suspend Latency Time
3
10
μs
Erase Suspend Latency Time
30
μs
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB100T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW032DT60ZA3T | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
| M58CR064C12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016DB100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB70T3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70T3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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