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參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016DB100T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 49/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100T6T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
APPENDIX B. FLOW CHARTS
Figure 21. Program Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared before further P/E operations.
Write 40h
AI03850
Start
Write Address
& Data
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4 = 0
VPP Invalid
Error (1)
Program
Error (1)
Program Command:
– write 40h
– write Address & Data
(memory enters read status
state after the Program command)
do:
– read status register
(E or G must be toggled)
while b7 = 1
If b3 = 1, VPP invalid error:
– error handler
If b4 = 1, Program error:
– error handler
YES
End
NO
b1 = 0
Program to Protect
Block Error
If b1 = 1, Program to Protected Block Error:
– error handler
YES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW032DT60ZA3T | 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory |
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| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M58BW016DB100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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| M58BW016DB70T3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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