- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359080 > M58BW016DB100T6T (意法半導(dǎo)體) 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016DB100T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 45/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100T6T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
PART NUMBERING
Table 24. Ordering Information Scheme
Note: Devices are shipped from the factory with the memory content bits erased to ’1’.
For a list of available options (Speed, Package, etc...) or for further information on any aspect of this de-
vice, please contact the ST Sales Office nearest to you.
Example:
M58BW016B
T
80
T
3
T
Device Type
M58
Architecture
B = Burst Mode
Operating Voltage
W = V
DD
= 2.7V to 3.6V; V
DDQ
= V
DDQIN
=2.4 to V
DD
Device Function
016B = 16 Mbit (x32), Boot Block, Burst Tuning Protection
016D = 16 Mbit (x32), Boot Block, Burst no Tuning Protection
Array Matrix
T = Top Boot
B = Bottom Boot
Speed
80 = 80ns
90 = 90ns
100 = 100ns
Package
T = PQFP80
ZA = LBGA80: 1.0mm pitch
Temperature Range
3 = –40 to 125 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
T = Tape & Reel Packing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M58CR064D12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064P12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M58BW016DB70T3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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