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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BW016DB100T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號(hào)，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/63頁(yè) |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100T6T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
Figure 16. Synchronous Burst Read - Continuous - Valid Data Ready Output
Note: Valid Data Ready = Valid Low during valid clock edge
1. V= Valid output.
2. R is an open drain output with an internal pull up resistor of 1M
.
The internal timing of R follows DQ. An external resistor, typically
300k
.
for a single memory on the R bus, should be used to give the data valid set up time required to recognize that valid data is
available on the next valid clock edge.
Figure 17. Synchronous Burst Read - Burst Address Advance
AI03649
K
Output
(1)
V
V
V
V
tRLKH
R
V
(2)
AI03650
K
ADD
Q0
Q1
L
Q2
ADD
VALID
G
tGLQV
tBLKH
tBHKH
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| M58CR064Q12ZB6T | 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016DB100ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB70T3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70T3FT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB70ZA3FF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
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