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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BW016DB100T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號(hào)，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/63頁(yè) |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB100T6T |
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33/63
M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
Figure 9. Asynchronous Bus Read AC Waveforms
Table 16. Asynchronous Bus Read AC Characteristics.
Note: 1. Output Enable G may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of Chip Enable E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
t
AVAV
Address Valid to Address Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Min
80
90
100
ns
t
AVQV
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Max
80
90
100
ns
t
AXQX
Address Transition to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
EHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
EHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
20
20
ns
t
ELQV(1)
G = V
IL
Max
80
90
100
ns
t
ELQX
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GHQX
Output Enable High to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
15
15
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
25
25
ns
t
GLQX
Output Enable to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
LLEL
Latch Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
AI0440 C
E
L
A0-A18
DQ0-DQ31
VALID
tLLEL
tAXQX
tELQX
tELQV
tAVQV
tGLQX
tGLQV
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
tGHQZ
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OUTPUT
tEHLX
tAVAV
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AI04407C
E
G
L
DQ0-DQ31
tGHQX
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GD
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