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參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016BB80T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 38/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | M58BW016BB80T6T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
38/63
Table 19. Asynchronous Write and Latch Controlled Write AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
t
AVLL
Address Valid to Latch Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
ELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
5
5
5
ns
t
LLLH
Latch Enable Low to Latch Enable High
Min
10
10
10
ns
t
LLWH
latch Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
QVVPL
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
ns
t
VPHWH
V
PP
High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
150
150
150
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid
Min
175
175
175
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
20
20
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
60
60
60
ns
t
QVPL
Output Valid to Reset/Power-down Low
Min
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016BB80T3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100ZA6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100ZA3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100T3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016BB80ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB80ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB90T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB90T6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB90ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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