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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BW016BB100ZA3T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號(hào)，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | M58BW016BB100ZA3T |
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M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
34/63
Figure 10. Asynchronous Latch Controlled Bus Read AC Waveforms
Table 17. Asynchronous Latch Controlled Bus Read AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
t
AVLL
Address Valid to Latch Enable Low
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
EHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
EHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
20
20
ns
t
ELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
GHQX
Output Enable High to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
15
15
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
25
25
ns
t
GLQX
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
5
5
5
ns
t
LHLL
Latch Enable High to Latch Enable Low
Min
10
10
10
ns
t
LLLH
Latch Enable Low to Latch Enable High
E = V
IL
Min
10
10
10
ns
t
LLQV
Latch Enable Low to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
Max
80
90
100
ns
t
LLQX
Latch Enable Low to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
Min
0
0
0
ns
AI03645
L
E
G
A0-A18
DQ0-DQ31
VALID
tEHLX
tLHLL
tLHAX
tAVLL
tELLL
tLLLH
tEHQX
tEHQZ
tGHQX
GHQZ
tLLQX
tLLQV
tGLQX
tGLQV
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OUTPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016BB100T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100T3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB100ZA3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DB100T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016BB100ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB80T3 | 功能描述:閃存 16M (512Kx32) 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58BW016BB80T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB80T6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB80ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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