參數(shù)資料
型號： M58BW016BB100T3T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
中文描述： 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存
文件頁數(shù)： 38/63頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： M58BW016BB100T3T
M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB
38/63
Table 19. Asynchronous Write and Latch Controlled Write AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
t
AVLL
Address Valid to Latch Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
ELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
5
5
5
ns
t
LLLH
Latch Enable Low to Latch Enable High
Min
10
10
10
ns
t
LLWH
latch Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
50
50
ns
t
QVVPL
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
ns
t
VPHWH
V
PP
High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
150
150
150
ns
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid
Min
175
175
175
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
20
20
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
60
60
60
ns
t
QVPL
Output Valid to Reset/Power-down Low
Min
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58BW016BB 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016DB100ZA3T 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016DB100T6T 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW032DT60ZA3T 32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory
M58CR064C12ZB6T 64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58BW016BB100T6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016BB100ZA3T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016BB100ZA6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
M58BW016BB80T3 功能描述:閃存 16M (512Kx32) 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58BW016BB80T3T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*