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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58BF008D |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 256Kb x32, Burst Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位的256Kb X32號(hào)，突發(fā)快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | M58BF008D |
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M58BF008
Table 18. Asynchronous Write AC Characteristics
(1)
(T
A
= –40 to 125
°
C; V
DD
= 5V
±
10% and V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Alt
Note: 1. See AC Testing Measurement conditions for timing measurements.
2. Sampled only, not 100% tested.
3. Time ismeasured to Status Register Read giving bit b7 = ’1’.
Parameter
Min
Max
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
70
ns
t
AVWH
t
AS
Address Valid to Write Enable High
70
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
70
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
t
PHWL
t
PS
Reset/Power-down High to Write Enable Low
70
ns
t
QVVPL(2)
Output Valid to V
PP
out of the range V
PP1
or V
PPH
0
ns
t
VPHWH(2)
t
VPS
V
PP
High to Write Enable High
200
ns
t
WHAX
t
AH
Write Enable High to Address Transition
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
t
WHQV1(3)
Write Enable High to Output Valid, Program
10
μ
s
t
WHQV2(3)
Write Enable High to Output Valid, Erase
2.1
sec
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
70
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BF008ZA | TV 8C 8#20 PIN RECP |
| M58BW016BT90ZA6T | ER 26C 26#16 PIN PLUG |
| M58BW016BTT | ER 26C 26#16 PIN PLUG |
| M58BW016BTZA | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BF008ZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 256Kb x32, Burst Flash Memory |
| M58BW016BB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100T6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016BB100ZA3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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