參數(shù)資料
型號： M29W160ET90ZA6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 31/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160ET90ZA6F
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M29W160ET, M29W160EB
Table 23. CFI Query System Interface Information
Address
Data
Description
Value
x16
x8
1Bh
36h
0027h
V
CC
Logic Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
38h
0036h
V
CC
Logic Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
3Ah
0000h
V
PP
[Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
NA
1Eh
3Ch
0000h
V
PP
[Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
NA
1Fh
3Eh
0004h
Typical timeout per single Byte/Word program = 2
n
μs
16μs
20h
40h
0000h
Typical timeout for minimum size write buffer program = 2
n
μs
NA
21h
42h
000Ah
Typical timeout per individual block erase = 2
n
ms
1s
22h
44h
0000h
Typical timeout for full chip erase = 2
n
ms
NA
23h
46h
0004h
Maximum timeout for Byte/Word program = 2
n
times typical
256μs
24h
48h
0000h
Maximum timeout for write buffer program = 2
n
times typical
NA
25h
4Ah
0003h
Maximum timeout per individual block erase = 2
n
times typical
8s
26h
4Ch
0000h
Maximum timeout for chip erase = 2
n
times typical
NA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160ET90ZA6T CLAMP
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DB90N6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160ET90ZA6T 功能描述:閃存 16M (2Mx8 or 1Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70ZA3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
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