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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW324DB90N6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，雙行16點(diǎn)16分，啟動(dòng)塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | M29DW324DB90N6 |
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M29DW324DT, M29DW324DB
26/49
Figure 13. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
Table 14. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29DW324D
Unit
70
90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
90
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
30
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
45
50
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
WHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
35
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
μs
AI05560
E
G
W
A0-A20/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
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