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參數(shù)資料
| 型號： | M28W160ECT90ZB6U |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 14/50頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT90ZB6U |
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M28W160ECT, M28W160ECB
14/50
Table 3. Commands
Note: 1. X = Don't Care.
2. The signature addresses are listed in Tables
4
,
5
and
6
.
3. Addr 1 and Addr 2 must be consecutive Addresses differing only for A0.
Table 4. Read Electronic Signature
Note:
RP = V
IH
.
Commands
No. of
Cycles
Bus Write Operations
1st Cycle
2nd Cycle
3nd Cycle
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Bus
Op.
Addr
Data
Read Memory Array
1+
Write
X
FFh
Read
Read
Addr
Data
Read Status Register
1+
Write
X
70h
Read
X
Status
Register
Read Electronic Signature
1+
Write
X
90h
Read
Signature
Addr
(2)
Signature
Read CFI Query
1+
Write
X
98h
Read
CFI Addr
Query
Erase
2
Write
X
20h
Write
Block
Addr
D0h
Program
2
Write
X
40h or
10h
Write
Addr
Data Input
Double Word Program
(3)
3
Write
X
30h
Write
Addr 1
Data Input
Write
Addr 2
Data
Input
Clear Status Register
1
Write
X
50h
Program/Erase Suspend
1
Write
X
B0h
Program/Erase Resume
1
Write
X
D0h
Block Lock
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
01h
Block Unlock
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
Block Lock-Down
2
Write
X
60h
Write
Block
Address
2Fh
Protection Register
Program
2
Write
X
C0h
Write
Address
Data Input
Code
Device
E
G
W
A0
A1
A2-A7
A8-A19
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
Manufacture.
Code
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
0
Don't Care
20h
00h
Device Code
M28W160ECT
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0
Don't Care
CEh
88h
M28W160ECB
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
0
Don't Care
CFh
88h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160B-GBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160B-ZBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT90ZB1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT90ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECB70N1E | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W160ESB70ZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| M28W160FSB70ZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF TB 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS TBGA |
| M28W160FST70ZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS TBGA |
| M28W320BT100ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320CB100GB6 | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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