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MMBTH81

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MMBTH81 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
MMBTH81 技術參數
  • MMBTA92,215 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBTA92 標準包裝:1 MMBTA92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBTA42 標準包裝:1 MMBV2105LT1 MMBV2105LT1G MMBV2107LT1 MMBV2107LT1G MMBV2108LT1 MMBV2108LT1G MMBV2109LT1 MMBV2109LT1G MMBV3102LT1 MMBV3102LT1G MMBV3401LT1 MMBV3401LT1G MMBV3401LT3G MMBV3700LT1 MMBV3700LT1G MMBV409LT1 MMBV409LT1G MMBV432LT1
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