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MR10FT50L0

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  • 制造商
  • SEI Stackpole Electronics Inc
  • 功能描述
  • - Tape and Reel
  • 制造商
  • SEI Stackpole Electronics Inc
  • 功能描述
  • MR Series 10 W 0.05 ohm 1 % Molded 2 Leads Low Resistance Value Leaded Resistor
  • 制造商
  • SEI Stackpole Electronics Inc
  • 功能描述
  • Res Metal Film 0.05 Ohm 1% 10W ±50ppm/°C to ±400ppm/°C Molded AXL Thru-Hole T/R
MR10FT50L0 技術(shù)參數(shù)
  • MR-1 功能描述:SENSOR CURRENT ID7.2MM OD22.4MM 制造商:kemet 系列:MR 零件狀態(tài):有效 匝數(shù)比 - 初級:次級:* 頻率:* 電感:- 額定電流:- DC 電阻(DCR):- E.T.:- 安裝類型:底座安裝 大小/尺寸:0.882" 長 x 0.760" 寬(22.40mm x 19.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.327"(8.30mm) 端子類型:導線引線 標準包裝:80 MR0DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM(磁阻 RAM) 存儲容量:1M(128K x 8) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA(8x8) 標準包裝:1 MR0DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM(磁阻 RAM) 存儲容量:1M(128K x 8) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA(8x8) 標準包裝:349 MR0D08BMA45R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0D08BMA45 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR1225E24B2-FSR MR1225E24B-FSR MR1225H24B1+6-FSR MR1225H24B1-FSR MR1225H24B2-FSR MR1225H24B-FSR MR1225L24B1+6-FSR MR1225L24B1-FSR MR1225L24B2-FSR MR1225L24B-FSR MR1225M24B1+6-FSR MR1225M24B1-FSR MR1225M24B2-FSR MR1225M24B-FSR MR1238E24B1+6-FSR MR1238E24B1-FSR MR1238E24B2-FSR MR1238E24B-FSR
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