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MLP2012HR54MT

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  • MLP2012HR54MT
    MLP2012HR54MT

    MLP2012HR54MT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • MLP2012HR54MT0S1
    MLP2012HR54MT0S1

    MLP2012HR54MT0S1

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人：鄭小姐

    電話：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • COILCRAFT/線藝

  • 805

  • 01+

  • -

  • 全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢

  • MLP2012HR54MT
    MLP2012HR54MT

    MLP2012HR54MT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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MLP2012HR54MT 技術(shù)參數(shù)
  • MLP2012HR47MT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLP2012H2R2MT0S1 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLP2012H1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT MLP2012V2R2MT0S1 MLP2012V4R7MT
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