MLD2016S4R7MTD25

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封裝
批號
價格
說明
操作

MLD2016S4R7MTD25
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
TDK
con
24+
-
電感器

MLD2016S4R7MTD25
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
TDK
con
24+
-
電感器

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功能描述
INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT
制造商
tdk corporation
系列
MLD
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
類型
多層
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
4.7μH
容差
±20%
額定電流
750mA
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
325 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
2MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
0806（2016 公制）
供應商器件封裝
0806（2016 公制）
大小/尺寸
0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.039"（1.00mm）
標準包裝
1

MLD2016S4R7MTD25 技術參數

MLD2016S3R3MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:299 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD2016S2R2MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:221 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD2016S1R5MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD2016S1R0MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）供應商器件封裝:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLD1N06CLT4 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLE-103-01-G-DV MLE-104-01-G-DV MLE-105-01-G-DV MLE-105-01-G-DV-A MLE-105-01-G-DV-A-P MLE-105-01-G-DV-A-P-TR MLE-106-01-G-DV MLE-106-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV MLE-107-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV-A-K-TR MLE-107-01-G-DV-P-TR MLE-108-01-G-DV MLE-108-01-G-DV-A MLE-109-01-G-DV MLE-110-01-G-DV MLE-110-01-G-DV-A MLE-111-01-G-DV