MGDU3-00013

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批號
價格
說明
操作

MGDU3-00013-P
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
TE Connectivity AMP Conne
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

MGDU3-00013
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
TE Connectivity
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

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功能描述
INDUCTOR 47UH 1.8A 20% 1352
RoHS
是
類別
電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式
系列
MGDU3
標準包裝
500
系列
1331
電感
1.2µH
電流
247mA
電流 - 飽和
247mA
電流 - 溫升
-
類型
鐵芯體
容差
±10%
屏蔽
屏蔽
DC 電阻(DCR)
最大 730 毫歐
Q因子@頻率
40 @ 7.9MHz
頻率 - 自諧振
130MHz
材料 - 芯體
鐵
封裝/外殼
0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm）
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
工作溫度
-55°C ~ 105°C
頻率 - 測試
7.9MHz

MGDU3-00013 技術(shù)參數(shù)

MGDU3-00009 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 3.9A 38 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU3，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.9A 電流 - 飽和值:3.8A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:38 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.205"（5.21mm）標準包裝:1 MGDU3-00004 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 6.8A 9.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU3，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:9A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:9.2 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.205"（5.21mm）標準包裝:1 MGDU3-00003 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 4.8A 18.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU3，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:4.8A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:18.4 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.205"（5.21mm）標準包裝:1 MGDU2-00011 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 4 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU2，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:300mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.130"（3.30mm）標準包裝:1 MGDU2-00007 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 840 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU2，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:700mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:840 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.370" 寬（12.95mm x 9.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.130"（3.30mm）標準包裝:1 MGDU3-00020 MGDU3-00021 MGDU4-00002 MGDU4-00002-P MGDU4-00003 MGDU4-00004 MGDU4-00005 MGDU4-00006 MGDU4-00007 MGDU4-00008 MGDU4-00008-P MGDU4-00009 MGDU4-00010 MGDU4-00011 MGDU4-00012 MGDU4-00013 MGDU4-00014 MGDU5-00004