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MCH3476-TL-W

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  • MCH3476-TL-W
    MCH3476-TL-W

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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 55832

  • ON Semiconductor

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優(yōu)勢(shì)代理,公司現(xiàn)貨可開(kāi)票

  • MCH3476-TL-W
    MCH3476-TL-W

    MCH3476-TL-W

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TY/臺(tái)灣半導(dǎo)體

  • SOT89-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • MCH3476-TL-W
    MCH3476-TL-W

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • 3-MCPH

  • 最新批號(hào)

  • -
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MCH3476-TL-W PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
MCH3476-TL-W 技術(shù)參數(shù)
  • MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V(F) 0603(1608 公制) 0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 電容:0.047μF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V(F) 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.035"(0.90mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MCH3481-TL-H MCH3481-TL-W MCH3484-TL-H MCH3484-TL-W MCH3486-TL-H MCH3486-TL-W MCH38FK102J MCH38FK102J-Y MCH38FK271J MCH38FK271J-Y MCH38FK331J MCH38FK331J-Y MCH38FK391J MCH38FK391J-Y MCH38FK471J MCH38FK471J-Y MCH38FK561J MCH38FK561J-Y
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