參數資料
型號： MA3G762
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type (cathode common)
中文描述： 20 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： TOP3F, FULL PACK-3
文件頁數： 1/2頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： MA3G762
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3G762
Silicon epitaxial planar type (cathode common)
For switching power supply
I
Features
Forward current (average) I
F(AV)
: 20 A type
Repetitive peak reverse voltage V
RRM
: 90 V type
High reliability caused by sealed in the TOP-3F (Full-pack
package)
Cathode common dual type
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
1 : Anode
2 : Cathode
(Common)
3 : Anode
TOP-3F (TO-3F Full-Pack Package )
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F(AV)
90
V
Average forward current
20
A
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
130
A
Junction temperature
T
j
40 to
+
125
40 to
+
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
Note) * : Sine half-wave; 10 ms/cycle
Marking Symbol: MA3G762
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 90 V
I
F
= 10 A
5
mA
Forward voltage (DC)
V
F
0.85
V
Thermal resistance
R
th(j-c)
Direct current (between junction and case)
1.5
°
C/W
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) Rated input/output frequency: 100 MHz
Internal Connection
1
2
3
15.0
±
0.5
7.2
±
0.3
2
±
0
1
±
0
1
0
S
3
±
0
0
±
0
1
±
0
5.0
±
0.2
3.2
±
0.2
10.9
±
0.5
5.45
±
0.3
3
2
1
1.1
±
0.1
2.0
±
0.1
0.6
+
0.2
0.1
2.0
±
0.1
φ
3.2
±
0.1
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