M29W256GL70ZS6F TR

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封裝
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說明
操作

M29W256GL70ZS6F TR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
Micron
64-LBGA
22+
-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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M29W256GL70ZS6F TR 技術(shù)參數(shù)

M29W256GL70ZS6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64-LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 M29W256GL70ZS6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64-LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GL70ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 M29W256GL70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29W256GL70N6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) M29W256GSL70ZS6F M29W320DB70N3E M29W320DB70N3F M29W320DB70N3F TR M29W320DB70N6 M29W320DB70N6E M29W320DB70N6F M29W320DB70N6F TR M29W320DB70ZA3F TR M29W320DB70ZA6 M29W320DB70ZE6E M29W320DB70ZE6F M29W320DB70ZE6F TR M29W320DB7AN6E M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E