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M28W800DT-90N6

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M28W800DT-90N6 技術(shù)參數(shù)
  • M28W640HSU70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 M28W640HST70ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MX16 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF TBGA TOP 3.0V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TFBGA M28W640HST70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 M28W640HSB70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 M28W640HCT70ZB6F 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M29600/20RC12H1 M29600/20RC12J2 M29600/20RJ14J1 M29600/20RJ14J2 M29600/20RM38P1 M29600/20RP45H1 M29600/20RS121H1 M29600/20RS121H3 M29600/20RS121J1 M29600/20RU74H3 M29600/20RU74J2 M29600/22RG09J1 M29600/22RG19S1 M29600/22RG37J1 M29600/22RU41J3 M29DW127G70NF6E M29DW127G70NF6F TR M29DW127G70ZA6E
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