參數(shù)資料
型號(hào)： KFN2G16Q2M-DED5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： MuxOneNAND FLASH MEMORY
中文描述： MuxOneNAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 34/124頁(yè)
文件大?。?/td> 1550K
代理商： KFN2G16Q2M-DED5
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
34
Division
Address
(word order)
Address
(byte order)
Size
(total 128KB)
Usage
Description
Main area
(64KB)
0000h~00FFh
00000h~001FEh
512B
1KB
R
BootM 0
BootRAM Main sector0
0100h~01FFh
00200h~003FEh
512B
BootM 1
BootRAM Main sector1
0200h~02FFh
00400h~005FEh
512B
4KB
R/W
DataM 0_0
DataRAM Main page0/sector0
0300h~03FFh
00600h~007FEh
512B
DataM 0_1
DataRAM Main page0/sector1
0400h~04FFh
00800h~009FEh
512B
DataM 0_2
DataRAM Main page0/sector2
0500h~05FFh
00A00h~00BFEh
512B
DataM 0_3
DataRAM Main page0/sector3
0600h~06FFh
00C00h~00DFEh
512B
DataM 1_0
DataRAM Main page1/sector0
0700h~07FFh
00E00h~00FFEh
512B
DataM 1_1
DataRAM Main page1/sector1
0800h~08FFh
01000h~011FEh
512B
DataM 1_2
DataRAM Main page1/sector2
0900h~09FFh
01200h~013FEh
512B
DataM 1_3
DataRAM Main page1/sector3
0A00h~7FFFh
01400h~0FFFEh
59K
59K
-
Reserved
Reserved
Spare area
(8KB)
8000h~8007h
10000h~1000Eh
16B
32B
R
BootS 0
BootRAM Spare sector0
8008h~800Fh
10010h~1001Eh
16B
BootS 1
BootRAM Spare sector1
8010h~8017h
10020h~1002Eh
16B
128B
R/W
DataS 0_0
DataRAM Spare page0/sector0
8018h~801Fh
10030h~1003Eh
16B
DataS 0_1
DataRAM Spare page0/sector1
8020h~8027h
10040h~1004Eh
16B
DataS 0_2
DataRAM Spare page0/sector2
8028h~802Fh
10050h~1005Eh
16B
DataS 0_3
DataRAM Spare page0/sector3
8030h~8037h
10060h~1006Eh
16B
DataS 1_0
DataRAM Spare page1/sector0
8038h~803Fh
10070h~1007Eh
16B
DataS 1_1
DataRAM Spare page1/sector1
8040h~8047h
10080h~1008Eh
16B
DataS 1_2
DataRAM Spare page1/sector2
8048h~804Fh
10090h~1009Eh
16B
DataS 1_3
DataRAM Spare page1/sector3
8050h~8FFFh
100A0h~11FFEh
8032B
8032B
-
Reserved
Reserved
Reserved
(24KB)
9000h~BFFFh
12000h~17FFEh
24KB
24KB
-
Reserved
Reserved
Reserved
(8KB)
C000h~CFFFh
18000h~19FFEh
8KB
8KB
-
Reserved
Reserved
Reserved
(16KB)
D000h~EFFFh
1A000h~1DFFEh
16KB
16KB
-
Reserved
Reserved
Registers
(8KB)
F000h~FFFFh
1E000h~1FFFEh
8KB
8KB
R or R/W
Registers
Registers
The following table shows the External Memory address map in Word and Byte Order.
Note that the data output is unknown while host reads a register bit of reserved area.
2.7.3 External Memory (BufferRAM) Address Map
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFN2G16Q2M-DED6 MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFX0327T SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE ISM)
KFX0414T SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE CIS)
KFX1459T 959.5MHz RF SAW Duplexer For Cordless Phone(CT-1)(959.5MHz射頻聲表面雙工器(用于無(wú)線電話(CT-1)))
KFX2703T 903.75MHz RF SAW Duplexer For Cordless Phone ISM(903.75MHz射頻聲表面雙工器(用于無(wú)線電話ISM))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFN2G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFN305DL08 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述:
KFN305DL3 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述:
KFN4G16Q2A-DEB8000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFN542-08 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述:
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