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參數(shù)資料
| 型號： | KFN1G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 50/124頁 |
| 文件大小： | 1550K |
| 代理商： | KFN1G16Q2M-DED6 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
50
Burst Length (BL)
BL
Burst Length(Main)
Burst Length(Spare)
Continuous(default)
001
4 words
010
8 words
011
16 words
100
32 words
N/A
101~111
Reserved
Burst Length (BL) Information[11:9]
Item
Definition
Description
BL
Burst Length
Specifies the size of the burst length during a synchronous
read, wrap around and linear burst read
Error Correction Code (ECC) Information[8]
Item
Definition
Description
ECC
Error Correction Code Operation
0 = with correction (default)
1 = without correction (bypassed)
RDY Polarity (RDYpol) Information[7]
Item
Definition
Description
RDYpol
RDY signal polarity
1 = high for ready (default)
0 = low for ready
INT Polarity (INTpol) Information[6]
INTpol
INT bit of Interrupt Status Register
INT Pin output
0
0 (busy)
High
1 (ready)
Low
1 (default)
0 (busy)
Low
1 (ready)
High
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFX0327T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE ISM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFN2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN305DL08 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
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