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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H560438M-TLA2 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 20/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | K4H560438M-TLA2 |
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- 20 -
K4H560838D
DDR SDRAM
Rev. 2.2 Mar. ’03
AC Operating Test Conditions
Input/Output Capacitance
(VDD=2.5, VDDQ=2.5V, TA= 25
°
C, f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Delta Cap(max)
Unit
Input capacitance
(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1, CKE, CS, RAS,CAS, WE)
CIN1
1.5
3.5
0.5
pF
Input capacitance( CK, CK )
CIN2
1.5
3.5
0.25
pF
Data & DQS input/output capacitance
COUT
3.5
5.5
0.5
pF
Input capacitance(DM)
CIN3
3.5
5.5
pF
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for Clock
0.5 * V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input signal minimum slew rate (for imput only)
0.5
V/ns
Input slew rate (I/O pins)
0.5
V/ns
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
V
tt
V
Output load condition
See Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560438M-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H560438E-NCB0 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560438E-NCB3 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560438E-UC | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H560438E-UCA2 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560438M-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560438N | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
| K4H560838A-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838A-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H560838A-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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