參數(shù)資料
型號： K4E661612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： CMOS DRAM
中文描述： 的CMOS內(nèi)存
文件頁數(shù)： 7/36頁
文件大小： 397K
代理商： K4E661612D
CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-50
-60
Units
Note
Min
M a x
Min
Max
Min
Max
R a n d o m r e a d o r w r i t e c y c l e t i m e
t
RC
79
89
1 0 9
n s
R e a d - m o d i f y - w r i t e c y c l e t i m e
t
R W C
1 1 0
1 2 1
145
n s
A c c e s s t i m e f r o m R A S
t
RAC
50
5 5
65
n s
3,4,10,12
A c c e s s t i m e f r o m C A S
t
CAC
17
1 8
20
n s
3,4,5,12
A c c e s s t i m e f r o m c o l u m n a d d r e s s
t
AA
28
3 0
35
n s
3,10,12
R A S pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
1 0 K
n s
C A S pulse width
t
CAS
12
10K
13
10K
15
1 0 K
n s
R A S h o l d t i m e
t
RSH
18
18
20
n s
C A S h o l d t i m e
t
CSH
39
43
50
n s
C o l u m n A d d r e s s t o R A S l e a d t i m e
t
RAL
28
30
35
n s
C A S to W d e l a y t i m e
t
C W D
29
35
39
n s
7
R A S to W d e l a y t i m e
t
R W D
62
72
84
n s
7
C o l u m n A d d r e s s t o W d e l a y t i m e
t
AWD
40
4 7
54
n s
7
H y p e r P a g e c y c l e t i m e
t
HPC
22
25
30
n s
2 1
H y p e r P a g e r e a d - m o d i f y - w r i t e c y c l e t i m e
t
H P R W C
52
53
61
n s
2 1
R A S p u l s e w i d t h ( H y p e r p a g e c y c l e )
t
RASP
50
2 0 0 K
55
2 0 0 K
65
2 0 0 K
n s
A c c e s s t i m e f r o m C A S p r e c h a r g e
t
CPA
29
3 3
40
n s
3
O E a c c e s s t i m e
t
O E A
17
1 8
20
n s
3
O E to data delay
t
OED
13
1 8
20
n s
O E c o m m a n d h o l d t i m e
t
OEH
13
18
20
n s
( Note 11 )
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