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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E661612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
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W
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-
COLUMN
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V
IH
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V
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-
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W C S
V
IH
-
V
IL
-
D Q 0 ~ D Q 7
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DS
V
IH
-
V
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-
D Q 8 ~ D Q 1 5
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C R P
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CAS
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C R P
t
W C H
t
W P
t
DH
DATA-IN
t
DS
t
DH
DATA-IN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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