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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E661612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
N O T E : D
IN
= O P E N
UPPER BYTE READ CYCLE
R A S
V
IH
-
V
IL
-
L C A S
V
IH
-
V
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A
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D Q 0 ~ D Q 7
C O L U M N
ADDRESS
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D Q 8 ~ D Q 1 5
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C R P
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RPC
t
R C S
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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