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JAN1N5519BUR-1

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  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 操作
  • JAN1N5519BUR-1
    JAN1N5519BUR-1

    JAN1N5519BUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N5519BUR-1
    JAN1N5519BUR-1

    JAN1N5519BUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 3.6V 500

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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  • 制造商
  • Aeroflex / Metelics
  • 功能描述
  • LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.6V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
JAN1N5519BUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N5519B-1 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5518DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5518D-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5518CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5518C-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5520DUR-1 JAN1N5521B-1 JAN1N5521BUR-1 JAN1N5521C-1 JAN1N5521CUR-1 JAN1N5521D-1 JAN1N5521DUR-1 JAN1N5522B-1 JAN1N5522BUR-1 JAN1N5522C-1 JAN1N5522CUR-1 JAN1N5522D-1 JAN1N5522DUR-1 JAN1N5523B-1 JAN1N5523BUR-1 JAN1N5523C-1 JAN1N5523CUR-1 JAN1N5523D-1
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