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JAN1N4103DUR-1

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  • JAN1N4103DUR-1
    JAN1N4103DUR-1

    JAN1N4103DUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N4103DUR-1
    JAN1N4103DUR-1

    JAN1N4103DUR-1

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 193

  • Microsemi HI-REL [MIL]

  • 2016+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • JAN1N4103DUR-1
    JAN1N4103DUR-1

    JAN1N4103DUR-1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品質(zhì)量保障 電話010-62104...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
JAN1N4103DUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 9.1V 1% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
JAN1N4103DUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4103D-1 功能描述:Zener Diode 9.1V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4103CUR-1 功能描述:Zener Diode 9.1V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4103C-1 功能描述:Zener Diode 9.1V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4103-1 功能描述:Zener Diode 9.1V ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4102UR-1 功能描述:Zener Diode 8.7V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4105CUR-1 JAN1N4105D-1 JAN1N4105DUR-1 JAN1N4105UR-1 JAN1N4106-1 JAN1N4106C-1 JAN1N4106CUR-1 JAN1N4106D-1 JAN1N4106DUR-1 JAN1N4106UR-1 JAN1N4107-1 JAN1N4107C-1 JAN1N4107CUR-1 JAN1N4107D-1 JAN1N4107DUR-1 JAN1N4107UR-1 JAN1N4108-1 JAN1N4108C-1
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