參數(shù)資料
型號(hào): IXTA1N80
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 750mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 220pf @ 25V
功率 - 最大: 40W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263AA
包裝: 管件