參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT28N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 583K
代理商： IXGT28N120B
2004 IXYS All rights reserved
IXGH 28N120B
IXGT 28N120B
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Resistance
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
0.50
Fig. 14. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
Q
G
- nanoCoulombs
40
50
60
70
80
90
100
V
G
V
CE
= 600V
I
C
= 28A
I
G
= 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-off
Switching Time on Temperature
100
150
200
250
300
350
400
450
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
I
C
= 14A
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
I
C
= 28A
I
C
= 14A
I
C
= 56A
I
C
= 56A
Fig. 16. Reverse-Bias Safe
Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
140
100
300
500
700
900
1100
1300
V
C E
- Volts
I
C
T
J
= 125
o
C
R
G
= 5
dV/dT < 10V/ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH28N30A HiPerFAST IGBT
IXGH28N30B HiPerFAST IGBT
IXGH28N60BD1 Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGT28N60BD1 Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH28N60B Ultra Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT28N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT28N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGT28N30A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGT28N30B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGT28N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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