參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT24N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 103K
代理商： IXGT24N60CD1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
m
s
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
m
s
1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
0
5
10
15
20
25
30
A
100
1000
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
nC
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
DSEP 29-06
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 30A
Fig. 14 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 15 Dynamic parameters Q
, and
I
RM
versus T
VJ
temperature
Fig. 16 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
t
fr
V
FR
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.502
0.193
0.205
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0162
1
2
3
T
VJ
=25
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
Fig. 18 Transient thermal resistance junction to case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH24N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH25N100AU1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N100U1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N120 Low VCE(sat) High speed IGBT
IXGH25N120A Low VCE(sat) High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGT25N250 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT28N120B 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT28N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT28N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
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