參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT16N170AH1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 16 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 533K
代理商： IXGT16N170AH1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Note 2
= I
C25
; V
CE
= 10 V
6
10
S
C
ies
C
oes
1700
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
16N170A
16N170AH1
83
125
pF
pF
C
res
30
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
65
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
nC
24
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
36
ns
57
ns
200
350
ns
40
150
ns
0.9
1.5
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
38
ns
59
ns
16N170A
16N170AH1
1.5
2.5
200
mJ
mJ
ns
t
d(off)
t
fi
E
off
55
ns
1.1
mJ
R
thJC
R
thCK
0.65 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
= 10
,
V
CE
= 0.5 V
CES
Note 3
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
= 10
,
V
CE
= 0.5 V
CES
Note 3
IXGH/IXGT 16N170A
IXGH/IXGT 16N170AH1
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
Notes:1.
Device must be heatsunk for high temperature leakage current
measurements to avoid thermal runaway.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
.
2.
3.
Reverse Diode (FRED)
(T
= 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V
F
I
F
= 20 A, V
GE
= 0 V
2.5
2.5
2.95
V
V
T
J
= 125°C
I
RM
t
rr
I
RM
t
rr
R
thJC
I
F
= 20 A; -di
F
/dt = 150 A/
μ
s
V
GE
= 0 V; V
R
= 1200 V
T
J
= 125°C
15
80
20
A
ns
A
200
ns
0.9 K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH16N170 High Voltage IGBT
IXGT16N170 High Voltage IGBT
IXGH17N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH17N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH17N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT20N 60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N 60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N100 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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