參數(shù)資料
型號： IXGT15N120CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： IXGT15N120CD1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Note 2.
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
12
15
S
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
1700
155
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
38
69
13
26
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
25
15
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
150
160
115
1.75
1.05
280
320
190
3.0
1.6
15N120BD1
15N120CD1
15N120BD1
15N120CD1
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
25
18
1.5
270
360
250
3.5
2.1
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
mJ
mJ
15N120BD1
15N120CD1
15N120BD1
15N120CD1
E
off
R
thJC
R
thCK
TO-247
0.83 K/W
K/W
0.25
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 20 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 20 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125 C
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
I
F
= 20 A; -di
F
/dt = 400 A/ s, V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V; T
J
= 125 C
I
F
= 1 A; -di
F
/dt = 100 A/ s; V
R
= 30 V,V
GE
= 0 V
2.6
2.1
2.8
V
V
I
F
33
20
V
V
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
15
200
A
ns
40
ns
1.6 K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
; R
G
= R
off
= 10
Note 1
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
CES
; R
G
= R
off
= 10
Note 1.
Notes:
1.
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
or increased R
.
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
2.
IXGH 15N120BD1
IXGH 15N120CD1
IXGT 15N120BD1
IXGT 15N120CD1
TO-247 AD (IXGH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-268AA (D
3
PAK)
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
Min.
Recommended
Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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PDF描述
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參數(shù)描述
IXGT16N170 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT16N170A 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT16N170AH1 功能描述:IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N 60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N 60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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