參數(shù)資料
型號： IXGH28N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 583K
代理商： IXGH28N120B
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= 28A; V
CE
= 10 V,
15
23
S
C
ies
C
oes
C
res
1700
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
120
pF
45
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
92
nC
I
C
= 28A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
nC
35
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
30
ns
20
ns
210
280
ns
170
320
ns
2.2
5.0
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
35
ns
28
ns
28N120B
28N120BD1
0.3
1.4
mJ
mJ
t
d(off)
t
fi
250
ns
340
ns
E
off
4.6
mJ
R
thJC
0.5 K/W
R
thCK
(TO-247)
0.25
K/W
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= 28A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 5
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= 28 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 5
Min Recommended Footprint
IXGH 28N120B
IXGT 28N120B
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT28N120B High Voltage IGBT
IXGH28N30A HiPerFAST IGBT
IXGH28N30B HiPerFAST IGBT
IXGH28N60BD1 Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGT28N60BD1 Low VCE(sat) IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH28N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH28N140B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH28N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH28N30A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH28N30AS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
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