參數(shù)資料
型號： IXGH25N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High speed IGBT with Diode
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 315K
代理商： IXGH25N100AU1
1996 IXYS All rights reserved
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
t
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
di
F
/dt - A/μs
200
400
600
I
R
0
10
20
30
40
50
di
F
/dt - A/μs
1
10
100
1000
Q
r
0
1
2
3
4
T
J
= 100°C
V
R
= 540V
T
J
- Degrees C
0
40
80
120
160
N
R
/
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
100
200
300
400
500
600
t
f
0
200
400
600
800
1000
V
F
0
10
20
30
40
50
t
fr
V
FR
T
J
= 125°C
I
F
=37A
Voltage Drop - Volts
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 150°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
I
F
= 30A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
I
F
= 30A
max.
I
F
= 30A
T
J
= 100°C
V
R
= 540V
T
J
= 100°C
V
R
= 540V
Fig.11 Maximum Forward Voltage Drop Fig.12 Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
FR
Fig.13Junction Temperature Dependence Fig.14 Reverse Recovery Chargee
off I
RM
and Q
r
Fig.15 Peak Reverse Recovery Current Fig.16 Reverse Recovery Time
IXGH25N100U1 IXGH25N100AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH25N100U1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N120 Low VCE(sat) High speed IGBT
IXGH25N120A Low VCE(sat) High speed IGBT
IXGH25N100 Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGH25N100A Low VCE(sat), High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH25N100U1 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH25N120 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N120A 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N160 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N250 功能描述:IGBT 60A 2500V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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