參數(shù)資料
型號： IXGH25N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High speed IGBT with Diode
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 315K
代理商： IXGH25N100AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH25N100U1 IXGH25N100AU1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
8
15
S
C
ies
C
oes
C
res
2750
270
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
50
Q
g
Q
ge
Q
gc
130
25
55
180
60
90
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
100
200
500
500
ns
ns
ns
ns
mJ
25N100AU1
25N100AU1
5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
250
3.5
720
950
800
10
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
1000
3000
25N100U1
25N100AU1
25N100U1
25N100AU1
E
off
6
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2.5
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 240 A/
μ
s
V
R
= 540 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/
μ
s; V
R
= 30 V T
J
=25
°
C
16
18
A
T
J
=125
°
C
120
ns
35
50
ns
R
thJC
1 K/W
Inductive load, T
= 125
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H
V
= 0.8 V
, R
= R
= 33
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H,
V
= 0.8 V
, R
= R
= 33
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
TO-247 AD Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH25N100U1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N120 Low VCE(sat) High speed IGBT
IXGH25N120A Low VCE(sat) High speed IGBT
IXGH25N100 Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGH25N100A Low VCE(sat), High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH25N100U1 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH25N120 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N120A 功能描述:IGBT 晶體管 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N160 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N250 功能描述:IGBT 60A 2500V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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