參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH25N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat), High speed IGBT
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： IXGH25N100
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 25N120
IXGH 25N120A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
8
15
S
C
ies
C
oes
C
res
2750
200
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
50
Q
g
Q
ge
Q
gc
130
25
55
180
50
90
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
250
650
700
600
11
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
1000
25N120
25N120A
25N120A
800
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
250
4.2
720
1200
800
15
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
1000
25N120
25N120A
25N120A
1200
E
off
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
0.25
K/W
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 33
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 33
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH25N100A Low VCE(sat), High speed IGBT
IXGH28N120B High Voltage IGBT
IXGT28N120B High Voltage IGBT
IXGH28N30A HiPerFAST IGBT
IXGH28N30B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH25N100A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH25N100AU1 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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