參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH24N60BU1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 135K
代理商： IXGH24N60BU1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXGH
24N60BU1
Pulse Width - Seconds
Fig. 11. Transient Thermal Resistance
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
R
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
(
(
-
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
J
= 125°C
I
C
= 24A
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
E
(
(
-
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
= 300V
I
C
= 24A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= 125°C
R
G
= 10
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 7. Dependence of tfi and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of tfi and E
OFF
on R
G
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH24N60AU1S HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH24N60AU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH24N60B HiPerFAST IGBT
IXGH24N60CD1 Lightspeed Series HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGT24N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH24N60BU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH24N60C4D1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH24N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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