參數(shù)資料
型號： IXGH24N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IXGH24N60B
2002 IXYS All rights reserved
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 125°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12A
I
C
= 24A
I
C
= 48A
T
J
=
125°C
V
GE(th)
I
C
= 3mA
BV
CES
I
C
= 3mA
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
T
J
= 125°C
7V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
11V
9V
5V
7V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Temperature Dependence of BV
DSS
& V
GE(th)
IXGH24N60B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH24N60CD1 Lightspeed Series HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGT24N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series
IXGH24N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH25N100AU1 High speed IGBT with Diode
IXGH25N100U1 High speed IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH24N60BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N60BU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247SMD
IXGH24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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