參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH22N50BS
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 44 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 68K
代理商： IXGH22N50BS
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH22N50B
IXGH22N50BS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
9
16
S
C
C
oes
C
res
ies
1450
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
120
pF
37
pF
Q
g
Q
Q
90
11
30
nC
nC
nC
ge
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
gc
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
30
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.15
100
55
0.3
150
110
0.5
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
30
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.15
140
100
0.6
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
= 25
°
C
Inductive load, T
J
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
= 125
°
C
Note 1
Note 1: Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Note 1
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
0.61
20.80
15.75
5.45
4.90
2.70
2.10
0.00
1.90
3.55
5.59
4.32
6.15
Inches
Min.
.190
.090
.075
.045
.075
.024
.819
.620
.215
.193
.106
.083
.00
.075
.140
.220
.170
.242
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
0.80
21.34
16.13
BSC
5.10
2.90
2.30
0.10
2.10
3.65
6.20
4.83
BSC
Max.
.205
.100
.085
.055
.084
.031
.840
.635
BSC
.201
.114
.091
.004
.083
.144
.244
.190
BSC
A
A1
A2
b
b1
C
D
E
e
L
L1
L2
L3
L4
P
Q
R
S
TO-247 SMD Outline
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH24N50B HiPerFAST IGBT
IXGH24N60A HiPerFAST IGBT
IXGH24N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH24N60AU1S HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH24N60AU1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH22N50BU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH22N50BU1S 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH22N50C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 44A I(C) | TO-247AD
IXGH240N30PB 功能描述:IGBT 晶體管 240 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH24N120C3 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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