參數(shù)資料
型號： IXGH17N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
中文描述： 34 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： IXGH17N100AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 17N100U1
IXGH 17N100AU1
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
oes
C
res
f = 1MHz
Gate Charge - (nC)
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90 100
V
G
1
3
5
7
9
11
13
15
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
I
C
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 125°C
dV/dt < 3V/ns
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.01
0.1
1
Single Pulse
D=0.1
D=0.2
D=0.5
D = Duty Cycle
V
CE
= 800
I
C
= 17A
I
G
= 10mA
C
ies
D=0.01
D=0.02
D=0.05
17N100g2.JNB
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.7 Gate Charge
Fig.8 Turn-Off Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH17N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
IXGH17N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH17N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM17N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM17N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH17N100U1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N100 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH20N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N100U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247
IXGH20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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