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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGH17N100 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| 中文描述： | 34 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IXGH17N100 |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 17N100
IXGH 17N100A
IXGM 17N100
IXGM 17N100A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
; V
CE
= 10 V,
6
15
S
C
ies
C
oes
C
res
1500
175
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
40
Q
g
Q
ge
Q
gc
100
20
60
120
30
90
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
100
200
500
750
450
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
1000
17N100
17N100A
17N100A
750
E
off
3
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
2.5
700
1200
750
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
1000
2000
1000
17N100
17N100A
17N100
17N100A
E
off
8
6
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
0.25
K/W
IXGH 17N100 and IXGH 17N100 A characteristic curves are located on the
IXGH 17N100U1 and IXGH 17N100AU1 data sheets.
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 82
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
TO-204AE Outline
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
1 = Gate
2 = Emitter
Case = Collector
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300
μ
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 82
Remarks: Switching times
may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH17N100A | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGM17N100 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGM17N100A | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGH20N100 | IGBT for AC Motor Speed Control(VCES為1000V，VCE(sat)為3.0V的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGH20N120 | IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH17N100A | 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH17N100AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH17N100U1 | 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N100 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH20N100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
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