參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH12N100AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： IXGH12N100AU1
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXGH12N100U1
IXGH12N100AU1
Fig. 12. Forward current versus
voltage drop.
Fig. 13. Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 14. Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 16. Reverse recovery time .
versus -di
F
/dt
Fig. 17. Forward voltage recovery and
time versus -di
F
/dt.
Fig. 18. Transient thermal impedance junction to case.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGH12N100U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGH12N100U1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD
IXGH12N120A2D1 功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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