參數資料
型號： IXGA20N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AA
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 111K
代理商： IXGA20N100
2003 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
CE90
, V
GE
= 15
2.2
3.0
V
IGBT
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1000
1000
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±
20
±
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25
°
C
= 90
°
C
= 25
°
C, 1 ms
40
20
80
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 47
Clamped inductive load, L = 300
μ
H
I
CM
= 40
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
150
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
M
d
Mounting torque with screw M3
Mounting torque with screw M3.5
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
DS98615B(01/03)
Features
International standard packages
JEDEC TO-220AB and TO-263AA
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Capacitor discharge
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
G
E
C (TAB)
TO-263 AA (IXGA)
GCE
TO-220AB (IXGP)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
=
= 3.0 V
1000 V
40 A
IXGA 20N100
IXGP 20N100
Preliminary Data Sheet
相關PDF資料
PDF描述
IXGP20N100 IGBT
IXGA20N120 IGBT
IXGP20N120 IGBT
IXGA20N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGA20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA20N120B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 1200V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA20N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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