參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH10N90
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 10 A, 900 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： IXFH10N90
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 10N90 IXFH 12N90 IXFH 13N90
IXFM 10N90 IXFM 12N90
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
2
4
6
8
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
C
rss
C
oss
V
DS
= 450V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Limited by R
DS(on)
C
iss
D=0.5
D=0.2
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
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PDF描述
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